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拒绝QLC颗粒！三星守住底线：最新一代236层闪存依旧TLC
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拒绝QLC颗粒！三星守住底线：最新一代236层闪存依旧TLC
2022-11-07 21:02 出处/作者：快科技 整合编辑：佚名 0
三星今天（11月7日）宣布开始量产第8代V-NAND闪存芯片，堆到了236层。
上一代V-NAND其实只有176层，已经用在了旗舰SSD固态盘990 PRO上。
关于第八代V-NAND，有两点值得一说， 一是三星介绍单芯片现在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是这次依然是TLC颗粒（3 bits/cell）。
其实，部分厂商在进入到150+层的阶段后，开始大肆制造更具成本效益的QLC颗粒，好在这次坚守住了底线。
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