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铠侠正在研发七级单元的3D NAND闪存，主控芯片开发亦成为难点
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铠侠正在研发七级单元的3D NAND闪存，主控芯片开发亦成为难点
吕嘉俭发布于 2022-6-16 10:55
本文约 560 字，需 1 分钟阅读
NAND闪存制造商一直尝试增加每个单元存储的位数来提高存储密度，从成本角度出发，这是一种非常具有价值的方法。Kioxia（铠侠）在这方面一直非常积极，早在2019年就开始讨论五级单元的PLC 3D NAND闪存，去年还曾展示六级单元的HLC 3D NAND闪存。
据PC Watch报道，铠侠表示目前正在开发七级单元的3D NAND闪存，暂时只能在实验室的低温条件下实现，并在今年的IMW 2022会议上介绍了相关的研究成果。目前七级单元的3D NAND闪存还没有正式的名字，反倒是去年展望3D NAND闪存发展的时候，确定八级单元的名字叫OLC。目前铠侠将芯片浸入在液氮（温度77K / 零下196摄氏度）环境中，让使用的材料变得更加稳定，同时可以降低电压的要求。
找到合适的材料和结构只是挑战超高密度NAND闪存的一部分，研究人员还要开发必要的主控芯片，以控制128级的电压变化。目前市场上常见的四级单元的QLC 3D NAND闪存，电压变化也就16级，显然七级单元的3D NAND闪存的难度要大得多。自2000年二级单元的MLC 3D NAND闪存出现以来，主控芯片变得越来越复杂，开发和制造成本也越来越高。即便闪存芯片的价格下降了，主控芯片的价格上涨也会抹掉成本优势。
铠侠的合作伙伴西部数据认为，从QLC过渡到PLC的过程会比较慢，至少到2025年以后，市场上才会出现搭载PLC 3D NAND闪存的产品，显然六/七级单元的3D NAND闪存距离消费者更加遥远。
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