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首款3D内存技术官宣 2035年能用上1TB内存
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首款3D内存技术官宣 2035年能用上1TB内存
众所周知，内存主要负责将显卡、SSD等设备与CPU进行数据交换的工作，但是现在的主流内存也就16GB/32GB，与SSD动辄几TB的规模无法相比。不过，美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存，内存容量将会有最高64倍的容量提升，我们用上1TB及以上内存也不是梦了。
NEO此前也在研究3D NAND闪存相关技术，推出的3D X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题。这次将3D NAND应用于内存技术，推出了3D X-DRAM，将内存芯片带入了3D时代。
其实，3D X-DRAM技术的思路跟3D NAND闪存类似，都是通过堆栈层数来提高内存容量，类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但增加一层Mask光罩就可以形成垂直结构，因此良率高，成本低，密度大幅提升。
NEO公司表示，2025年推出的第一代3D X-DRAM可以做到230层堆栈，核心容量达到128GB。未来每10年将内存容量提升8倍，到2035年推出1TB容量的3D X-DRAM，相比现在达到了64倍提升。
如果大容量内存得以问世，或许我们可以将系统整个搭载在内存上，或者将那些动辄几百个GB的游戏全部加载，应该系统响应或者读取速度会有质的提升。
文章来自：爱活网
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