JEDEC或放宽HBM4高度限制，在现有的键合技术中实现16层堆叠
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JEDEC或放宽HBM4高度限制，在现有的键合技术中实现16层堆叠
吕嘉俭发布于 2024-3-14 12:19
本文约 570 字，需 1 分钟阅读
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。从去年下半年起，就不断传出有关下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入，以加快研发的进度。
据ZDNet报道，JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制。为了降低三星、SK海力士和美光的制造难度，传闻JEDEC可能将12层及16层堆叠的HBM4高度放宽至775微米，这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠，无需转向新的混合键合技术。
目前无论是三星的TC NCF技术还是SK海力士的MR-RUF技术，都是使用凸块实现层与层之间的连接。上个月三星宣布，已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，从过去的8层堆叠提高至12层堆叠，而且通过对TC NCF材料的优化，已经将间隙减低至7微米。不过要实现16层堆叠，厚度必然会继续增加，现有的技术在原限定高度下很难实现这样的操作。
混合键合技术不需要凸块，通过板载芯片和晶圆直接键合，让层与层之间更加紧密，以减少封装厚度。不过混合键合技术尚未成熟，而且相比现有的键合技术过于昂贵，因此现阶段存储器制造商还不太愿意采用。
随着JEDEC同意放宽HBM4的高度限制要求，一方面为混合键合技术争取到了更多的开发时间，另一方面也加快了HBM4的商业化进程。
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