长鑫存储计划生产HBM内存，填补国产存储器产品空缺
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长鑫存储计划生产HBM内存，填补国产存储器产品空缺
吕嘉俭发布于 2024-2-4 09:47
本文约 540 字，需 1 分钟阅读
近年来高带宽内存的需求急剧上升，尤其是随着人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头，目前都在开发新产品，特别是HBM4等下一代技术受到了业界的极大关注，预计未来将占据主导地位。
据相关媒体报道，长鑫存储（CXMT）计划生产HBM内存，正在采购必要的设备，已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置。
目前市场上主流的HBM3是8层或12层垂直堆叠，中间通过硅通孔（TSV）互联，然后放在一个基本逻辑芯片上，采用1024位接口连接。虽然看起来很简单，但实际上并非如此，而且制造HBM是一项复杂的任务。其生产的设备与传统存储器的设备有着根本的不同，而且生产过程中要对其进行测试，然后封装，最后再测试整个堆栈。其中需要大量的工具和专业知识，但HBM产品在带宽和能效方面胜于市面上其他所有类型的内存。
长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。此外，长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术，也不清楚是哪类型的HBM，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。
国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装，这也迫使中芯国际需要开发更先进的封装技术。
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