SK海力士明年启动HBM4开发，HBM3E也将进入批量生产阶段
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SK海力士明年启动HBM4开发，HBM3E也将进入批量生产阶段
吕嘉俭发布于 2023-12-26 09:35
本文约 600 字，需 1 分钟阅读
虽然今年存储器市场行情低迷，相当部分厂商损失惨重，不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能（AI）爆发的机会，凭借针对性的产品线和市场策略，拿下了不少市场份额。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士延续了HBM市场的领导地位，甚至出现了“赢家通吃”的局面。
近日SK海力士在介绍2024年存储产品线的时候，已确认明年将启动下一代HBM4的开发工作，为数据中心和人工智能产品提供动力。其实在今年第四季度里，三星和美光就已先后确认正在开发HBM4，分别计划在2025年和2026年发布。
HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入批量生产，而启动HBM4的开发工作标志着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。
此前有报道称，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽翻倍是HBM内存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的引脚速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会相当明显。
传闻HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，2027年还会带来16层垂直堆叠。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。
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