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ASML向英特尔交付首台High-NA光刻机，售价可能达到4亿美元

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ASML向英特尔交付首台High-NA光刻机，售价可能达到4亿美元

吕嘉俭发布于 2023-12-22 09:08
本文约 560 字、3 张图表，需 1 分钟阅读

2022年初，ASML宣布与英特尔的长期合作进入了新的阶段，双方将携手推进半导体光刻前沿技术。英特尔也向ASML发出了购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统的订单，这是具有高数值孔径（High-NA）和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光（EUV）大批量生产系统，为双方长期的High-NA EUV技术合作搭建框架。

ASML_TwinScan_1.jpg

据TomsHardware报道，ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机。本周开始，新设备将从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地，并在未来几个月内完成安装。High-NA EUV光刻机的体积非常巨大，需要使用13个集装箱和250个板条箱来进行运输。据了解，每台High-NA EUV光刻机的成本约在3到4亿美元。

英特尔在2018年向ASML购入了TWINSCAN EXE:5000系统，可以作为试验机，更好地了解High-NA EUV设备的使用，获得宝贵经验。Intel 18A工艺计划在2025年量产，英特尔将会引入High-NA EUV光刻技术，这将领先于竞争对手台积电（TSMC）和三星。High-NA EUV光刻机将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

ASML_Intel_HighNA_2.jpg
ASML_Intel_HighNA_3.jpg

由于新一代光刻设备与旧款产品之间有许多不同之处，需要进行大量的基础设施改造，提前部署可能会让英特尔获得竞争优势。一方面能有更多的技术调整时间，另一方面有更充裕的时间进行基础设施改造，以更好地适配High-NA EUV光刻机使用。


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