《麻省理工科技评论》中国“2023年智能计算创新人物”征集进行中

麻省理工科技评论-《麻省理工科技评论》中国“2023年智能计算创新人物”征集进行中

《麻省理工科技评论》中国“2023年智能计算创新人物”征集进行中

本次评选有且只有一个官方申请渠道：https://iclist.luoyikexue.com/，请在官网渠道进行线上申报（需在网页端打开）。

在科技的浪潮中，存算一体技术崭露头角。这项技术，融汇存储与计算，不仅是一个简单的结合，更是对传统计算范式的一次颠覆性挑战。

顾名思义，存算一体技术即将存储与计算融为一体，彻底改变了传统计算模式。

早年，存算一体概念还仅仅是一种前瞻性的幻想，而今却在实际应用中展现出了巨大的潜能。在众多国际顶尖学府的实验室，科研学者通过深入的研究和验证，证实了存算一体技术的惊人威力。不仅计算速度得以飞跃，更在能源效率上取得了长足进步。这些实验成果，无疑为存算一体的科学性和可行性提供了有力支持，也为智能计算的未来奠定了坚实基础。

存算一体技术的发展，正将我们带入一个科技的交汇点。这不仅仅是计算模式的再塑，更是智能计算的一场巨变。它推翻了传统的分离计算思维，引领我们进入高效、灵活的新时代。存算一体并不仅限于硬件的突破，更是在多功能、多维度的智能计算系统中掀起一场变革风暴。

然而，存算一体技术的前进道路上仍存在诸多挑战。其发展牵涉到硬件、软件、算法等多个领域，要实现最大潜力需要不同领域的跨界合作。同时，在产业链的构建方面，存算一体技术尚未达到完全成熟，其所需的技术支撑可能尚未完全到位，这也导致了应用开发可能存在匹配问题。预计，存算一体技术可能需要 5-10 年的时间才能真正投入广泛使用。

这些挑战同样也为存算一体的创新带来了壁垒，催生了各领域的合作和共创。正是在攻克挑战的过程中，存算一体技术将逐步迈向更为成熟和全面的发展。

目前，存算一体技术的发展受到各个层面的关注和投入，从芯片研发企业到科研机构，不同的参与者都在寻求切入点，以推动这一领域的进步。存算一体芯片研发企业的切入点主要集中在成熟的介质上，如 SRAM、Nor-Flash 和 DRAM 等。这些介质在过去的计算领域中已经积累了丰富的经验和技术，因此在存算一体技术中也能够为其提供一定的支持和基础。

一些科研机构选择了跳出传统的范畴，将研究焦点聚集在新型介质上，如忆阻器（RRAM）等。这种探索性的切入点可能为存算一体技术的未来发展开辟全新道路，从而推动其在计算领域的广泛应用。忆阻器作为一种新型器件，在长期的电子领域研究中备受关注，其独特的特性与生物神经突触极为相似，因此被冠以“电子突触器件”的美誉。这一新兴器件在电子学领域引发了广泛的研究兴趣，其被赋予了许多前所未有的潜力。

存算一体技术的崛起，不仅为计算能力注入了新的活力，更是智能时代的主旋律。这是一段融合科研创新、产业实践和应用创新的精彩旅程。它将引领我们进入智能计算的新纪元，为我们的生活和工作带来全新的可能。

立足当下，着眼未来，DeepTech 聚焦智能计算研究领域，致力于挖掘推动智能计算研究范式变革的青年人才，促进智能计算理论创新与技术进步。

《麻省理工科技评论》中国×DeepTech 第二届“2023 年中国智能计算创新人物”提名正在进行。我们欢迎「智能计算」领域 45 岁及 45 岁以下的中国（包括目前在海外的华人）青年学者、科研工作者、发明者、科技创业者等报名参选。

更多评选与申请内容，可查看官方申报系统 https://iclist.luoyikexue.com/。如有问题，请联系官方邮箱[email protected]。

我们真诚地邀请智能计算领域的专家和企业代表参与我们的征集活动。无论您是在学术界、科研机构还是企业领域有丰富经验的专业人士，您的参与将为智能计算的发展带来新的思路和动力。让我们携手并肩，共同探索智能计算的未来，为人类社会带来更多的福祉和进步。