三星官宣第二代3nm工艺 目标赶超台积电
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三星官宣第二代3nm工艺 目标赶超台积电
在芯片制造领域，台积电现在确实是当之无愧的芯片制造之王，3nm工艺生产线已经开始工作，让不少品牌眼馋。但由于台积电已经确认今年3nm产能将会全部供应苹果之后，其他品牌说实话也挺无奈的。不过近期三星官宣了第二代3nm工艺，将会在2024年量产，或许台积电开始有了新对手。
早在前阵，三星半导体业务高管前几天表态要用5年时间赶超台积电，现在官宣第二代3nm工艺，其目标就是为了赶超台积电。
三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。
三星表示，新的工艺相比SF4（4nm LPP）工艺，在相同功耗及晶体管密度下速度提升22%，或者功耗降低34%，面积缩小21%。这对于手机芯片而言有很大的意义，毕竟移动处理器功耗降低才是王道。
不过在这次官宣时，三星并没有提及2代3nm之间工艺的变化，两者之间的差别我们无从而知。
根据三星公布的路线图，SF3工艺预计在2024年量产，之后还会有增强版的SF3P，也就是3GAP+，2025年量产。
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