苹果新专利曝光，揭示其正在研发microLED显示器

苹果新专利曝光，揭示其正在研发microLED显示器

发布时间：2023-01-23 14:03  |  标签： 苹果 HMD 专利 microLED

编译/VR陀螺

最近有传言称，苹果公司计划在未来几年开始在Apple Watch和iPhone上使用自己的定制microLED显示屏。而在近日，美国专利商标局公布了苹果公司一项技术含量很高的专利申请，该专利涉及制造microLED显示屏的方法。苹果公司的专利保持对技术的关注，同时对市场应用或目标设备又保持了清醒认知。

基于MicroLED的显示面板

苹果的高科技专利描述了发光结构和形成发光结构的方法。在一个实施方案中，形成发光结构的方法包括在一个或多个相应的临时基板上形成一个或多个LED试片，将一个或多个LED试片转移到一个载体基板上，将一个或多个LED试片图案化为LED台面结构，并将LED台面结构转移到一个显示基板上。

在一些实施方案中，在转移到显示基板之前，还可以在LED面层结构周围形成井状结构。此外，还可以利用混合接合将其接合至显示基板上。根据实施方案的处理顺序可用于形成单色和全色显示器。

在一个实施方案中，发光结构包括一个接合在基板的LED，如互补金属氧化物半导体（CMOS）基板电极垫上的LED。该LED可以包括一个基于无机半导体的p-n二极管，以及一个接合在电极垫上的金属底层触点。另外，绝缘填充层可以横向地位于LED和金属底部接触周围。

在一个实施方案中，金属底部接触的平面底面以金属-金属键与电极垫的平面顶面接合，而绝缘填充层的平面底面以氧化键与基板的平面顶面结合。此外，LED可以被安装在嵌入绝缘填充层的井状结构内。

在一个实施方案中，一个发光结构包括一个第一无机半导体为基础的p-n二极管，被设计成发出第一种颜色，以及一个与第一电极垫结合的第一金属底部触点。发光结构还可以包括一个第二LED（以及更多），包括一个第二无机半导体基p-n二极管，旨在发出与第一颜色不同的第二颜色，以及一个与第二电极垫结合的第二金属底部触点。

在一些实施方案中，第一金属底面触点比第二金属底面触点更厚，第二无机半导体基p-n二极管也比第一无机半导体基p-n二极管更厚。

在一些实施方案中，第一和第二金属底部触点的底面是共面的。此外，LED可以安装在嵌入绝缘填充层的相应井状结构内。

根据一些实施方案，处理顺序可以有助于将LED集成缩放到小的微型尺寸，并在LED周围和上方集成光学结构，减轻对准的挑战。此外，反射井结构和微光学元件的整合还可以提高同轴光提取效率。

图源：patentlyapple

苹果公司的专利图1A包括形成发光结构方法的工艺流程和相应的截面侧视图图示；图1B包括形成单色发光结构方法的工艺流程；图7是一对安装在显示基板的反射井结构内的LED的示意性截面侧视图图示。

苹果公司的专利图3A包括一个工艺流程和相应的横截面侧视图说明，该方法是在载体基板上从LED试片上图案化一对LED台面结构；图3B包括一个工艺流程和相应的横截面侧视图说明，该方法是在显示基板上集成一对LED台面结构。

图源：patentlyapple

苹果公司的专利图12A是一个透明的半球状高折射率透镜在LED上的示意性截面侧视图；图12B是一个透明的锥状高折射率透镜在LED上的示意性截面侧视图。

想要了解更多专利细节，请查阅苹果公司的专利申请# US 20230018406 A1。

来源：patentlyapple

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