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台积电开始为1nm级芯片生产铺路：拟投资320亿美元选址新建晶圆厂
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台积电开始为1nm级芯片生产铺路：拟投资320亿美元选址新建晶圆厂
吕嘉俭发布于 2022-11-23 12:59
本文约 490 字，需 1 分钟阅读
按照台积电（TSMC）的计划，在2022年至2025年期间，将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等工艺，后续还会有优化后的N3S工艺，加上可以使用FINFLEX技术，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在3nm制程节点仍使用FinFET晶体管，不过到了2nm制程节点，即2025年量产的N2工艺将启用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管。
据相关媒体的报道，台积电已做出了战略决策，开始为1nm级别的芯片生产铺路，决定选址中国台湾桃园附近的龙潭科技园区，兴建新的晶圆厂。该地点距离台积电总部所在的新竹科技园区不远，将为当地创造数千个高薪工作岗位。
目前先进半导体工艺的生产设备相当昂贵，估计这间晶圆厂的投资金额大概在320亿美元。相比之下，台积电现有采用3nm和5nm工艺生产的晶圆厂，投资金额约为200亿美元，新晶圆厂有着不小的增幅。
台积电暂时只披露了N2工艺的计划，接下来更为先进的制造技术会如何发展还不清楚，有业内人士估计，1nm级别的工艺可能要到2027年至2028年才能量产，很可能会用到ASML最为先进的High-NA EUV光刻系统，将提供0.55数值孔径。由于1nm级别工艺的芯片无论设计还是制造成本都非常高，不要指望很多公司和芯片会采用。
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