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三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
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三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
吕嘉俭发布于 2022-11-7 15:18
本文约 510 字，需 1 分钟阅读
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍，这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石，不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。
今年5月份，美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存，并准备在2022年末开始生产，计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构，使用了NAND的字符串堆叠技术，初始容量同为1Tb。到了8月份，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，同时已向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。
目前NAND闪存市场里，三星的市场份额是最高的，到达了35%。随着采用第8代V-NAND技术的产品引入，三星在层数上已追上SK海力士和美光，以确保市场上的竞争优势。
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