三星公布1.4nm工艺计划，正在开发速率为36Gbps的GDDR7
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三星公布1.4nm工艺计划，正在开发速率为36Gbps的GDDR7
吕嘉俭发布于 2022-10-8 09:51
近日，三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图。三星表示，将会在2025年开始大规模量产2nm工艺，更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产，同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发，为代工服务提供整体系统解决方案，预计2024年将提供名为X-Cube的3D封装解决方案。
三星表示到2027年，HPC、汽车和5G芯片的比例将超过50%，计划瞄准高性能和低功耗的半导体市场，并将先进制程节点的产能扩大三倍以上。三星将增强其基于GAA的3nm工艺，用于HPC和移动设备的芯片；目前三星为汽车级芯片提供28nm eNVM解决方案，计划2024年将推进到14nm eNVM解决方案，未来还会有8nm eNVM解决方案；射频芯片方面，继14nm工艺后，会有8nm工艺，5nm工艺也在开发当中。
在DRAM领域，三星宣布其最新的第五代10nm级（1b）芯片将在2023年之前开始批量出货，并对10nm以下级别的DRAM制造进行探索性研究，这需要新的设计和材料。三星在这方面领先于大多数竞争对手，目前一般在14nm制程节点上制造DRAM芯片。此外，三星开发当中的GDDR7将会是未来GPU的助推器，其速率达到了36 Gbps，在现有18 Gbps的GDDR6基础上翻倍。
三星还在进行第九代和第十代V-NAND技术的开发工作，计划今年末发布基于第八代230层V-NAND芯片，512Gb芯片的存储密度将增加42%，预计到2030年将实现1000层的V-NAND芯片。三星还致力于QLC方面的研究，希望能进一步提高性能，同时增加存储位密度。
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