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三星向芝奇供应HKMG DDR5内存颗粒，其P3生产线已投入运营
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三星向芝奇供应HKMG DDR5内存颗粒，其P3生产线已投入运营
吕嘉俭发布于 2022-9-17 14:37
本文约 460 字，需 1 分钟阅读
三星在去年三月推出了业界首款单条容量512GB的DDR5内存，采用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5内存颗粒，以降低漏电率。其利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠，以确保低功耗和高质量的信号传输，单颗DRAM芯片容量为16Gb。
据TechInsights报道，目前已经在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒，未来采用HKMG技术的内存很可能成为新的行业标准。除了DDR5以外，三星也应用在GDDR6上，实现了商业化。
据The Elec报道，近期三星位于韩国平泽园区的P3生产线已投入运营，将大规模生产NAND闪存芯片。这是三星迄今为止最大的半导体生产设施，于2020年末开始建设，配备了EUV（极紫外光刻技术）光刻设备，旨在为三星的代工服务制造NAND闪存、DRAM和逻辑芯片。与此同时，三星已开始准备建设新的P4生产线。
三星半导体业务负责人庆桂显（Kyung Kye-hyun）表示，未来会继续投资半导体生产设施，而且不会依赖于半导体市场条件，新的生产线能降低10%的成本，这将降低产品销售的价格。此外，庆桂显坦承三星SoC开发团队的规模仅为竞争对手的三分之一，因此将专注于做好自己力所能及的事情。
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