打破国外“垄断”！国产UFS 3.1闪存诞生，可应用在高端手机中！

打破国外“垄断”！国产UFS 3.1闪存诞生，可应用在高端手机中！|三星|ufs_网易订阅

在半导体行业，由于我国起步相对比较晚，所以在很多领域都受到了一些限制，这些领域包括核心原材料、先进光刻机和EDA工具等，不过在某些领域，我们通过数年努力已经取得了巨大突破。

我们平时使用的手机、电脑等设备，核心元件就包括闪存，但过去整个市场几乎全部被三星、镁光、铠侠、西部数据等外企所垄断，他们也掌握了闪存市场的议价权。

很显然，这对于中国科技公司来说绝不是什么好事，因为过度垄断的市场就注定会任人宰割，所以他们经常会宣布涨价，会直接对下游厂商造成影响。

不过在国家层面的召唤下，这几年我国在闪存芯片这块，已经取得了巨大突破，2016年成立的长江存储通过几年努力，让原本落后的国产闪存实现了跨越。

据了解，长江存储在成立后的次年就完成了32层NAND闪存的小批量生产，随后又在2019年顺利攻克了64层NAND闪存的批量生产，打破了闪存芯片被外企垄断的困境。

更为关键的是，长江存储自创的X-tacking架构，可以在开发产品时将时间缩短90天，产品生产周期可以缩短20%，单位面积存储密度则可以达到竞品的96层3D NAND，速度为3.0Gbps。

正因为这样，长江存储这两年已经成功地在闪存芯片领域赶上了行业龙头，国内企业也不必担心国外企业的垄断行为了。

值得一提的是，长江存储在技术路线上直接跳过了96层，将从32层直升到128层，而且128层3D NAND已经实现了大规模量产，据传该公司产品已通过苹果公司的验证，预计最早将于今年5月出货。

4月19日，长江存储正式宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023，这是长江存储打造的一款旗舰级高速闪存芯片，该产品将广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域

按照官方介绍，UC023采用全新升级的Xtacking 2.0架构的TLC 3D闪存颗粒，产品在设计和工艺上均得到了进一步改善和优化，作为旗舰级UFS 3.1闪存，它还具备众多特点。

首先是搭载主机碎片化整理技术，优化数据处理操作能够节省更多的存储空间，并引入随机写性能优化机制，可以将写入速度提升至230K IOPS，令多个应用实现自由切换。

其次是在发挥极致读写性能的同时，还能够保证超低功耗运行，即便是在线观看8K超清视频也不会出现卡顿，可以让设备待机时间明显增长。

最后是可提供定制化产品开发服务，并向客户提供及时、专业、高效的技术支持，推出128/256/512GB三款存储容量，可满足主流市场需求。

从长江存储推出的UFS 3.1闪存来看，这无疑是进一步打破了国外企业在高端闪存市场上的垄断地位，届时旗舰智能手机、平板设备也能够用上国产UFS 3.1闪存。

据了解，长江存储的UFS 3.1闪存连续读取速度可达2000MB/s，写入速度看容量，从950MB/s到1250MB/s都有。

要知道三星的512GB UFS 3.1闪存，读取速度为2100MB/s，写入速度1200MB/s，这意味着长江存储的产品在写入速度上还要略胜一筹。

简单来说，虽然长江存储的UFS 3.1闪存推出的时间稍晚一些，但性能还是很有优势的，完全不输三星、镁光等公司的产品，彻底打破了国外企业的垄断。

未来不仅国产手机可以使用长江存储的UFS 3.1闪存，像苹果等厂商也同样有可能采购国产闪存，只要我们稳步发展，相信技术难题都能被逐一攻克。对此你怎么看呢，欢迎评论、点赞、分享。