SiC功率器件步入高增长周期 天岳先进加速技术产能双驱动

近年来，凭借在耐高压、耐高温、低耗能等方面的良好属性，碳化硅正逐步成为新一代功率器件制作的关键材料，在多个领域获得广泛应用。在电动汽车领域，碳化硅（SiC）主要应用于功率控制单元（PCU）、逆变器、车载充电器等部分，相较于传统的Si基器件，SiC基器件消减电子转换损耗80%以上，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC基器件后，可提升车辆5%-10%续航能力，同时，单车成本有一定程度下降。目前，成本与续航正是新能源汽车厂商着力解决的痛点，因此，SiC基器件凭借优良的性能，获得了多家头部厂商的青睐。

汽车电动化预期明确

SiC功率器件步入高增长周期

根据行业机构Yole预测，预计2026年SiC功率器件市场规模将由2020年的7.1亿美元增长至45亿美元，年均复合增速达到36%。而其中碳化硅衬底作为技术壁垒最高环节，价值量占比接近50%，其无疑是产业链中受益的重点。碳化硅优良的物理性能可以使芯片尺寸更小、效率更高，更加耐高温，可以应用在电动汽车的功率控制单元（PCU）、逆变器、车载充电器中。特斯拉、比亚迪等新能源汽车制造企业，电控部分已经推出碳化硅功率器件，并进行持续迭代和渗透。作为行业内碳化硅材料生产企业的代表，天岳先进（688234.SH）目前已具备了充足的技术储备，借助临港项目带来的产能提振，其产品主要在电动汽车领域将具有良好的应用前景。

当前，汽车电动化的趋势已相当明显。数据显示，2021年我国新能源汽车产量已达到354.5万辆，较去年同比增长159.52%，市场占有率达到13.4%。机构预测，预计2030年，新能源汽车销量占比将超过40%。新能源汽车产业的发展正逐渐成为拉动碳化硅市场需求的强劲动力。在这样的背景下，作为行业头部企业的天岳先进将充分受益。

十年深耕，自主研发建立导电型碳化硅衬底制备技术

据了解，自2010年成立以来，天岳先进便专注于第三代半导体衬底材料研发和生产。近年来，公司在导电型碳化硅技术领域取得了持续突破。

早在2017年，天岳先进已成功完成6英寸导电型碳化硅衬底科技成果鉴定和产品鉴定，产品性能及核心指标达到国内领先、国际先进水平；2019年公司导电型衬底产品已中标国家电网采购计划。年报显示，截至2021年末，公司及下属子公司拥有专利授权415项，其中境内发明专利98项，境外发明专利授权5项。

公司方面表示，作为国家863计划新材料技术领域中导电型碳化硅衬底相关研究课题和《2013年新材料研发及产业化专项项目》中导电型碳化硅衬底相关项目的牵头单位之一，公司目前已成功掌握了导电型碳化硅衬底材料制备的技术和产业化能力，核心生产设备长晶炉已完全实现国产替代。近年来公司针对导电型衬底，持续加大技术投入，依托关键研发项目，公司在导电型衬底关键指标等方面获得突破性进展，将加快产业化进程。

技术、产能双轮驱动，扩产进度持续加速

4月1日晚间天岳先进发布了上市以后的首份年报，2021年全年公司共实现营业收入49385.68万元，同比增长16.25%；归母净利润8995.15万元，实现扭亏为盈。

现阶段，随着碳化硅下游应用的渗透，导电型碳化硅衬底将是广阔的蓝海市场。上市前公司资本实力弱，资产规模有限，产能不足制约了企业的快速发展。近年来，依托技术上优势，天岳先在产能扩张方面同样进行了加速布局。

2021年，公司募投项目“碳化硅半导体材料项目”已在上海临港正式开工建设，该项目已纳入国家布局，且被上海市政府列为2021年、2022年上海市重大建设项目。据公告显示，“碳化硅半导体材料项目”将主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料。预计2022年三季度实现一期项目投产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年，是目前公司产能的六倍之多。

公司方面表示，截至目前，临港项目已经顺利实现封顶，虽然受疫情等各方面不确定性因素的影响，公司克服种种困难，按原计划推进项目建设。天岳先进早在上市前就已经开始布局导电型衬底市场，是国内碳化硅市场的领头企业之一。公司在碳化硅领域布局多年，具有深厚的技术储备，上市后在资本加持下，公司将得以巩固领先的技术、规模、市场等先发优势，迎接碳化硅时代的蓝海市场。