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14nm 製程、EUV 技術堆疊 5 層，Samsung 開始量產新一代 DDR5 記憶體
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14nm 製程、EUV 技術堆疊 5 層，Samsung 開始量產新一代 DDR5 記憶體
上半年 DDR5 模組最高容量推至 512GB，最新技術可以使容量密度再提高。
隨著 DDR5 應用時間點即將到來，Samsung 宣告在 EUV 與 14nm 技術基礎上，推出業界最先進的 DDR5 解決方案。
Samsung 於 2020 年 3 月曾表示，結合 EUV 技術生產的 DDR4 記憶體模組出量已經達到 100 萬，同時預告要將 EVU 技術普及進未來的新產品上，包含了新一代技術標準 DDR5。
最新量產的 DDR5 解決方案，是以第 4 代 14nm 製程（D1a）結合 EVU 技術投產，其中 EVU 堆疊層數增加到了 5 層。Samsung 指出新產品的晶圓生產效率提高約 20％，和上一代製程技術相較之下，還能使功耗降低 20％ 左右。
Samsung 宣稱這些 DDR5 新品，有助於達成 7.2Gbps（DDR4-7200）傳輸速率標的，而且容量密度預計將能夠提高至 24Gb。由於性能和容量密度兼具，Samsung 認為可以滿足 5G、AI、資料中心等，諸如此類應用不斷成長的需求。
Written by bisheng
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