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三星开始量产14nm EUV DDR5 DRAM，生产率提高20%、功耗降低20%
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三星开始量产14nm EUV DDR5 DRAM，生产率提高20%、功耗降低20%
吕嘉俭发布于 2021-10-12 16:17
本文约 520 字，需 1 分钟阅读
三星宣布，已开始量产采用EUV（极紫外）技术的14nm工艺制造DDR5 DRAM。在该工艺加持下，14nm EUV DDR5 DRAM拥有业界最高的晶圆密度，与上一代产品相比，生产率提高了约20%，功耗也降低了20%。三星表示，这款产品非常适合用在AI和5G工作负载里，这些市场正在不断增长当中。
三星在去年开始出货业界首款采用EUV技术制造的DRAM，这次又将EUV层数增加到五层，通过当今最先进的DRAM工艺，以提供最好的DDR5解决方案。三星也是业界唯一通过应用EUV多层工艺，实现14nm DRAM差异化工艺技术的厂商。三星计划通过EUV技术提高DRAM的性能和良品率，从而在14nm或以下DRAM竞争中获得优势。三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示：
“在过去的30多年里，三星在进行不断的技术创新，克服半导体工艺上遇到的困难。目前通过EUV多层工艺技术，实现了14nm工艺的极致化，这是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在这基础上，三星充分满足不同市场的需求，继续提供差异化的内存解决方案。”
目前三星DDR5内存最高速率达到了7.2 Gbps，是DDR4内存（3.2 Gbps）的两倍多，并且还在不断提升中。未来三星会量产24Gb DRAM，以满足大容量数据市场的需求。三星希望通过不同的技术手段，打造出一套DDR5内存产品线，适应不同的细分市场。
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