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AMD官方发布新视频详细介绍3D垂直缓存，公开更多技术细节
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AMD官方发布新视频详细介绍3D垂直缓存，公开更多技术细节
吕嘉俭发布于 2021-6-12 15:11
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近日，AMD在油管官方账号上分享了一段视频，内容是对此前台北电脑展上公布的3D垂直缓存（3D Vertical Cache）进行了更详细的介绍，让大家对这项技术有更深入的了解。
AMD的3D芯片堆叠技术是基于台积电的SoIC技术，作为一种无损芯片堆叠技术，意味着不使用微凸点或焊料来连接两个芯片，两个芯片被铣成一个完美的平面。底层CCX与顶层L3缓存之间是一个完美的对齐，TSV通道可以在没有任何类型的粘合材料的情况下进行匹配。为了实现这个操作，AMD将CCX翻转（由面向顶部改为面向底部），然后削去了顶部95%的硅，再将3D垂直缓存芯片安装在上面。好处是将缓存和核心之间的距离缩短了1000倍，同时减少了发热、功耗和延迟，使得性能有进一步提高。
在台北电脑展上，AMD已经展现了采用3D堆叠技术的Ryzen9 5900X处理器的原型设计。这项创新的技术可以为每个CCX带来额外的64MB 7nm SRAM缓存，使得处理器的L3缓存容量由32MB增加到96MB，容量增加到原来的三倍。按照官方提供的数据，采用3D堆叠技术后，整体游戏性能提高了15%，幅度并不小。
AMD早前已经确认，在今年晚些时候，配备3D垂直缓存的Zen 3架构Ryzen系列处理器将投入生产，有可能就是Ryzen 5000XT系列处理器，相信很快就能和大家见面了。
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