三星宣布完成5纳米EUV工艺研发 将向客户提供样品

[ 摘要 ]与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提高。同时由于工艺改进，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

腾讯科技讯 据国外媒体报道称，世界领先的半导体技术公司三星电子公司今天宣布，其5纳米FinFET工艺技术已经完成开发，现已准备好向客户提供样品，三星也通过这一点再次证明了其在尖端制造市场的领导地位。

与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提高。同时由于工艺改进，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

从7纳米到跨越到5纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用三星高度复杂的EUV技术（ExtremeUltraviolet Lithography，极紫外光刻，常称作EUV光刻），有助于产品接近性能极限。

5纳米工艺的另一个主要优点是，我们可以将所有7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上。因此，7纳米客户向5纳米过渡将得以大幅降低迁移成本、拥有预先经过验证的设计生态系统，从而大幅缩短其5纳米产品的开发周期。

由于三星铸造（Samsung Foundry）与其“三星高级铸造生态系统”（SamsungAdvanced Foundry Ecosystem）合作伙伴之间的密切合作，自2018年第四季度以来，三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施，包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外，三星铸造已经开始向客户提供5纳米多项目晶片服务。

三星电子铸造业务执行副总裁查理·贝耶（Charlie Bae）说：“在成功完成5纳米工艺的开发过程中，我们已经证明了自己在EUV技术领域的强大科研能力。为了满足客户对先进工艺技术不断增长的需求，以使他们的下一代产品与众不同，我们将继续致力于加快EUV技术的批量投产工作。”

2018年10月，三星宣布将首次生产7纳米制程工艺芯片，这是三星首个采用EUV光刻技术的产品。如今，该公司已经提供了行业内第一个基于EUV的商业样品，并已于今年年初开始批量投产7纳米芯片。

此外，三星还在与客户合作开发6纳米芯片，这是一种基于EUV技术的定制产品。

贝耶表示：“考虑到包括PPA和IP在内的各种优势，三星基于EUV工艺的产品预计将对5G、人工智能、高性能计算和汽车等新的创新应用产生很高的需求。凭借我们强大的技术竞争力，包括我们在EUV光刻领域的领先地位，三星将继续向客户提供最先进的技术和解决方案。”

据悉，三星铸造公司基于EUV工艺的生产工作已被安排在了位于韩国华雄工厂的S3生产线。此外，三星还将把其EUV产能扩展到华雄的一条新的EUV生产线，该生产线预计将在2019年下半年完工，并于明年开始量产。（腾讯科技审校/汤姆）